據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，共達電聲股份有限公司取得一項名為“MEMS電容傳感器及其制備方法、電子設(shè)備“，授權(quán)公告號CN113678472B，申請日期為2019年5月。
專利摘要顯示，一種MEMS電容傳感器及其制備方法，該傳感器包括第一電極結(jié)構(gòu)(200)，該第一電極結(jié)構(gòu)(200)包括位于中間區(qū)域的第一導(dǎo)電區(qū)域(230a)以及所述第一導(dǎo)電區(qū)域周圍的絕緣區(qū)域(240)，第一導(dǎo)電區(qū)域(230a)和絕緣區(qū)域(240)為一整體結(jié)構(gòu)，且其中至少一個通過摻雜方式形成。上述MEMS電容式傳感器，通過在第一電極結(jié)構(gòu)中設(shè)置在中間區(qū)域的第一導(dǎo)電區(qū)域?qū)щ姡谝粚?dǎo)電區(qū)域周圍的絕緣區(qū)域絕緣，降低了MEMS電容式傳感器的寄生電容，并且無需設(shè)置多層絕緣薄膜，避免了殘余應(yīng)力控制復(fù)雜、多層薄膜剝離和彎曲的問題。
